過(guò)去，磁控管濾波組件的穿心電容全部依賴進(jìn)口，國(guó)內(nèi)沒(méi)有成熟的產(chǎn)品可供采購(gòu)；近年，迫于成本的壓力，磁控管廠家對(duì)濾波組件完全國(guó)產(chǎn)化的需求越來(lái)越強(qiáng)烈。然而出于商業(yè)考慮，關(guān)于磁控管濾波組件的深入研究很少在公共刊物上發(fā)表，通常只會(huì)在各公司申請(qǐng)專利時(shí)看到，大多的研究都是各公司內(nèi)部進(jìn)行。了解磁控管噪聲是濾波組件設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)，本文正航儀器工程師首先總結(jié)了磁控管低端噪聲的形成機(jī)制理論，以離子噪聲和混頻理論為指導(dǎo)，結(jié)合實(shí)驗(yàn)歸納出磁控管噪聲的低端分布特性。

應(yīng)用定K 型濾波器模型理論對(duì)現(xiàn)有的磁控管濾波組件進(jìn)行分析，反推出該濾波組件的截止頻率和設(shè)計(jì)特性阻抗，該類參數(shù)在日后的新型濾波組件設(shè)計(jì)過(guò)程中有重要參考價(jià)值。應(yīng)用濾波器分析軟件分析了磁控管濾波組件的理想衰減特性，討論了高頻寄生效應(yīng)的影響，設(shè)計(jì)了更低寄生電容的濾波組件，在有控制性地降低230MHz 以下余量的同時(shí)增大了最容易出現(xiàn)噪聲超標(biāo)的450-580MHz 波段的衰減量，使低端總體通過(guò)率接近100%。介紹了扼流線圈和穿心電容制造工藝，深入研究了各種工藝條件如燒結(jié)條件、成型壓力、燒結(jié)氣氛等對(duì)穿心電容鈦酸鋇基陶瓷的抗擊穿、介電常數(shù)、密度等性能的影響；研究了玻璃化溫度對(duì)穿心電容環(huán)氧樹(shù)脂的影響，得出了可以通過(guò)降低玻璃化轉(zhuǎn)變溫度提升電容成品的耐冷熱沖擊性能的結(jié)論；進(jìn)行了樹(shù)脂與陶瓷結(jié)合能力的研究，獲得了通過(guò)硬化劑配比、硬化條件優(yōu)化等增強(qiáng)樹(shù)脂與陶瓷結(jié)合能力方法。
最后應(yīng)用CST 低頻仿真模塊，模擬穿心電容在變頻微波爐中的工況，證明了普通穿心電容因發(fā)熱嚴(yán)重，長(zhǎng)期使用耐壓不能得到保證的結(jié)論，提出了適應(yīng)性改造方案并完成了變頻穿心電容的制作。同樣運(yùn)用CST 低頻仿真模塊分析了穿心電容高頻焊接過(guò)程，得到了高頻電流造成的熱損耗在底板和端子的分布，求得各部件的總耗散，分析了變頻電容焊接升溫困難的原因，提出了提高導(dǎo)線增大端子耗散的方案。（文章來(lái)源：正航儀器）http://www.2sdd.com